RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
8.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
60
87
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
60
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2145
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link