RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
87
Wokół strony -181% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3313
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link