RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
96
122
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.4
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.8
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
122
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
9.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
5.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
1411
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G73BH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link