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AMD AE34G2139U2 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Comparar
AMD AE34G2139U2 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Pontuação geral
AMD AE34G2139U2 4GB
Pontuação geral
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
AMD AE34G2139U2 4GB
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Razões a considerar
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
56
Por volta de -51% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
5.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
AMD AE34G2139U2 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
37
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
5.6
12.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1462
2808
AMD AE34G2139U2 4GB Comparações de RAM
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Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Comparações de RAM
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
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