Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Pontuação geral
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Pontuação geral
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Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    37 left arrow 46
    Por volta de 20% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    16 left arrow 11.4
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    12.4 left arrow 7.4
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    25600 left arrow 10600
    Por volta de 2.42 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    37 left arrow 46
  • Velocidade de leitura, GB/s
    11.4 left arrow 16.0
  • Velocidade de escrita, GB/s
    7.4 left arrow 12.4
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1683 left arrow 2660
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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