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Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Comparar
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB vs Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
29
Por volta de 34% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20
15.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.2
10.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
19
29
Velocidade de leitura, GB/s
20.0
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
16.2
10.2
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3542
2708
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
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