RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Comparar
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Pontuação geral
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.6
8.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
44
Por volta de -69% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.5
12.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
26
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
8.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2193
2157
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link