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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Pontuação geral
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
64
Por volta de 56% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
8.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
12.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
64
Velocidade de leitura, GB/s
12.4
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
8.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2329
2052
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
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