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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Comparar
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
28
Por volta de 4% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
10.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.7
6.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
28
Velocidade de leitura, GB/s
10.1
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
6.2
14.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1411
3660
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB Comparações de RAM
CompuStocx (CSX) 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
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