RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Comparar
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,475.5
12.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
56
Por volta de -124% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8800
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
25
Velocidade de leitura, GB/s
4,878.3
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,475.5
12.7
Largura de banda de memória, mbps
8800
21300
Other
Descrição
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
598
2704
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB Comparações de RAM
Elpida EBE11UD8AJWA-6E-E 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link