RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Comparar
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Pontuação geral
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.1
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.7
6.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
27
Por volta de -13% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
24
Velocidade de leitura, GB/s
13.1
12.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.7
6.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2009
2256
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB Comparações de RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Comparações de RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link