Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Pontuação geral
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Pontuação geral
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Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    31 left arrow 92
    Por volta de -197% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    20.5 left arrow 2
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    15.5 left arrow 1,266.1
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    25600 left arrow 6400
    Por volta de 4 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    92 left arrow 31
  • Velocidade de leitura, GB/s
    2,105.4 left arrow 20.5
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,266.1 left arrow 15.5
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    339 left arrow 3649
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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