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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Comparar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,256.8
13.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
64
Por volta de -106% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
64
31
Velocidade de leitura, GB/s
4,651.3
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,256.8
13.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
837
2762
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparações de RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
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