RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Comparar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs InnoDisk Corporation 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Pontuação geral
InnoDisk Corporation 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.7
7.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
InnoDisk Corporation 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
42
Por volta de -11% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
6.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
38
Velocidade de leitura, GB/s
9.7
7.7
Velocidade de escrita, GB/s
6.0
8.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1396
2163
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparações de RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
InnoDisk Corporation 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333+ 2GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link