RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Inmos + 256MB
Comparar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Inmos + 256MB
Pontuação geral
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Pontuação geral
Inmos + 256MB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
11.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Inmos + 256MB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
71
Por volta de -137% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
1,322.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
16800
5300
Por volta de 3.17 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Inmos + 256MB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
71
30
Velocidade de leitura, GB/s
2,831.6
11.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,322.6
9.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
16800
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
no data
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
399
2318
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Inmos + 256MB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Inmos + 256MB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link