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PNY Electronics PNY 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Razões a considerar
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
27
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
10.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
2140
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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