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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Pontuação geral
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
69
Por volta de -214% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
1,857.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
22
Velocidade de leitura, GB/s
4,217.2
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,857.7
13.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
668
3295
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
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