RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Comparar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
69
Por volta de -156% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
1,857.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
27
Velocidade de leitura, GB/s
4,217.2
18.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,857.7
12.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
668
3327
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link