RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
60
Por volta de 23% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
3200
Por volta de 8 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
60
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
12.3
Largura de banda de memória, mbps
3200
25600
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
2590
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link