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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
60
64
Por volta de 6% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
2,168.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
64
Velocidade de leitura, GB/s
4,595.2
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,168.2
8.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
941
1948
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
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