RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
13.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
77
Por volta de -175% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
28
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
13.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2929
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link