RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
15.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
11.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
33
Por volta de -32% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
25
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
11.2
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
2489
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston 99U5584-012.A00LF 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link