RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Comparar
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
41
Por volta de -52% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21.9
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
19.1
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
27
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
21.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
19.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2176
4044
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link