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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
30
Por volta de 13% menor latência
Razões a considerar
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
30
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
12.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3021
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
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