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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,201.1
12.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
74
Por volta de -222% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
23
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
12.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
2825
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
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Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
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Kingston 9965596-002.B00G 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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