Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB

Pontuação geral
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Pontuação geral
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SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB

SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    73 left arrow 123
    Por volta de 41% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    4 left arrow 3
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    2,367.8 left arrow 1,423.3
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 5300
    Por volta de 1.21 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latência em PassMark, ns
    73 left arrow 123
  • Velocidade de leitura, GB/s
    3,510.5 left arrow 4,591.6
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,423.3 left arrow 2,367.8
  • Largura de banda de memória, mbps
    5300 left arrow 6400
Other
  • Descrição
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    476 left arrow 402
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