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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Comparar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
69
Por volta de -214% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
1,441.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
22
Velocidade de leitura, GB/s
3,325.1
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,441.2
12.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
525
2801
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
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