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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB
Comparar
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
68
76
Por volta de 11% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
1,702.6
1,482.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR2
Latência em PassMark, ns
68
76
Velocidade de leitura, GB/s
3,886.6
3,336.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,702.6
1,482.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
5300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
654
497
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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