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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Razões a considerar
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
40
Por volta de -48% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
19.6
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
27
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
22.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
19.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
4052
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB Comparações de RAM
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
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A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
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