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SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
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SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Pontuação geral
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
44
74
Por volta de 41% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.9
7.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.6
12.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
74
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.9
7.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2022
1616
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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