RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Comparar
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Pontuação geral
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
17.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
46
Por volta de -77% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.0
1,852.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
26
Velocidade de leitura, GB/s
5,535.6
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,852.4
15.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
858
3486
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link