RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Comparar
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Pontuação geral
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
28
Por volta de 11% menor latência
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.5
12.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.7
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.5
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
15.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2180
3601
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link