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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
44
Por volta de -69% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
10.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.3
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
26
Velocidade de leitura, GB/s
10.9
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
17.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1853
3938
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
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