RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Comparar
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Pontuação geral
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
44
70
Por volta de 37% menor latência
Razões a considerar
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
10.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.9
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
70
Velocidade de leitura, GB/s
10.9
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
7.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1853
1934
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link