RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
66
Около -288% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.2
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.2
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
17
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
21.2
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
3714
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link