RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
46
Около -31% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
35
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
16.2
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
3242
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link