RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
30
Около 13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.6
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
8.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
10.0
Скорость записи, Гб/сек
9.5
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
2234
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link