RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Сравнить
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB против Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Средняя оценка
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
48
Около 19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.6
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.8
8.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
48
Скорость чтения, Гб/сек
14.6
11.6
Скорость записи, Гб/сек
8.8
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2355
2466
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link