RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
42
Около -45% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.1
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
16.9
Скорость записи, Гб/сек
9.4
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
3167
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G80026 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G80026 2GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link