RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Сравнить
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB против Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
-->
Средняя оценка
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Средняя оценка
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
26
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.5
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.4
11.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
18
26
Скорость чтения, Гб/сек
20.5
14.4
Скорость записи, Гб/сек
16.4
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3530
2846
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link