RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сравнить
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB против Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
52
Около -2% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
1,479.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
51
Скорость чтения, Гб/сек
4,226.4
15.6
Скорость записи, Гб/сек
1,479.2
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
590
2687
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link