RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB против Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Средняя оценка
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
38
Около 5% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.8
14
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
10.2
8.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
38
Скорость чтения, Гб/сек
14.8
14.0
Скорость записи, Гб/сек
8.7
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2481
2407
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link