RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Сравнить
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB против Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
-->
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Средняя оценка
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
28
Около 18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
6.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
28
Скорость чтения, Гб/сек
17.5
13.7
Скорость записи, Гб/сек
13.2
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3171
2128
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link