RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
56
Около 48% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.1
10.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.6
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
56
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
10.1
Скорость записи, Гб/сек
7.8
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
2307
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link