RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
32
Около 9% меньшая задержка
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.3
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
14.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2546
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link