RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
65
Около -110% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.2
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
18.4
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3500
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link