RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3447
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link