RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
59
Около 59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
59
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2764
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kllisre 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link