RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2686
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link