RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2773
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link